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消息称三星电子考虑在HBM4上采用1c nm内存,提升能效竞争力

发布时间:2024-05-17 23:03:19来源: 152102

家 5 月 17 日消息,韩媒 ZDNet Korea 今日报道称,三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程(第六代 10+nm 级)DRAM 裸片,以提升其产品在能效等方面的竞争力。

三星电子代表今年早些时候在行业会议 Memcon 2024 上表示,该企业计划在今年底前实现 1c nm 制程的量产;而在 HBM4 方面,三星电子预计在明年完成该新型 AI 内存的开发,2026 年实现量产。

在目前已量产的 HBM3E 上,三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片,而是仍使用 1a nm 颗粒,在能耗方面处于劣势。

这被消息人士认为是三星内部考虑在 HBM4 上就导入 1c nm DRAM 颗粒的重要诱因。

IT之家获悉,同一制程节点的首批 DRAM 产品一般是面向桌面和移动端市场的标准 DDR / LPDDR 产品,等到成熟后才会在高价值低良率的 HBM 中引入新制程

消息人士还称,三星电子 HBM 业务相关高管和工作组也计划同步将 HBM4 的开发时间周期缩短,以跟上 AI 处理器厂商的需求。但这必然会带来更大的良率风险

目前 HBM 内存领域的领军企业 SK 海力士已表达了计划在 HBM4E 上导入 1c nm 制程颗粒的意向,但尚未正式确认 HBM4 内存具体使用哪种制程的 DRAM。

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